SSD PCIE G5 M.2 NVME 1TB/990EVOPLUS MZ-V9S1T0BW SAMSUNG

Symbol: MZ-V9S1T0BW

Dostępność: 1 szt.

Cena: 1493.00

szt.
#zostańznami - kupuj online!

Dostępność i dostawa

Wysyłka w ciągu: 3 dni
Cena przesyłki:
99
  • Kurier / Spedycja 99

Więcej o produkcie

Waga:
0.009 kg
Data dodania:
2026-08-05

Spectacular speed everyday
Blast through tasks faster. 990 EVO Plus with the latest NAND offers boosted sequential read/write speeds up to 7,250/6,300MB/s. Huge files, instant transfer.

Keep cool and power through your day
Optimised efficiency, extended performance. The nickel-coated controller increases MB/s per Watt by 73% compared to the 990 EVO, achieving the same power level and thermal control with less power consumption. Stay focused on work or play without worrying about overheating or battery life.

Extra space. Extra speed.
Harness the full power of your drive with enhanced Intelligent TurboWrite 2.0. Process massive data faster and breeze through heavy graphics with an enlarged TurboWrite region, now available in 4TB capacity.

Samsung Magician software
Make your SSD work like magic. Samsung Magician software's optimisation tools ensure the best SSD performance. It's a safe and easy way to migrate all your data for a Samsung SSD upgrade. Protect valuable data, monitor drive health, and get the latest firmware updates.

Bringing innovations to life
For decades, Samsungs NAND flash memory has powered groundbreaking technologies that have changed every part of our daily lives. This NAND flash technology also powers our consumer SSDs, making room for the next big push of innovation.

Performance
Up to 7,250MB/s of sequential read speed, 45% faster speed than the previous model, the 990 EVO.

Power efficiency
Power efficiency enhanced by 73% compared to the 990 EVO for more MB/s per watt, while maintaining performance and thermal control.

Versatility
Up to 4TB capacity and rapid Intelligent TurboWrite 2.0.

  • Supported by the latest PCIe® 4.0 x4 and PCIe® 5.0 x2 interfaces, offering flexibility for current and future computing.
  • Sequential read speeds of up to 7,250MB/s to meet the demands of business and creative work.
  • Available in different capacities up to 4TB.
  • Power efficient design puts less burden on your PC's battery life.
  • Smart thermal solution provides consistent and reliable performance.
  • Five year limited warranty.
Parametry:
Szerokość produktu:
80.15 mm
Manufacturer:
SAMSUNG
Typ pamięci:
V-NAND TLC
Interfejs:
PCI Express 4.0
Przeznaczenie:
PC
Ilość w opakowaniu:
60
Głębokość produktu:
2.38 mm
Waga produktu:
9 g
Wysokość produktu:
80.15 mm
Vendor Homepage:
https://www.samsung.com/uk/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-plus-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9s1t0bw/
CnCode:
84717098
Jednostkowa waga brutto:
0.102 kg
Description:

Spectacular speed everyday
Blast through tasks faster. 990 EVO Plus with the latest NAND offers boosted sequential read/write speeds up to 7,250/6,300MB/s. Huge files, instant transfer.

Keep cool and power through your day
Optimised effici

Szerokość opakowania:
145 mm
Głębokość opakowania:
100 mm
Wysokość opakowania:
24 mm
Waga wraz z opakowaniem:
68 g
Category Code:
SSU
Unit Box Height:
0.025
Unit Box Length:
0.145
Unit Box Width:
0.1
Summary:
Samsung MZ-V9S1T0. Pojemność pamięci SSD: 1 TB, Rozmiar kieszeni dysku SSD: M.2, Prędkość odczytu z nośnika: 7150 MB/s, Prędkość zapisu nośnika: 6300 MB/s, Przeznaczenie: PC
DDR3 1600/1333/1066/800:
MZ-V9S1T0BW
Jednostkowa waga netto:
0.009 kg
Nazwa modelu:
MZ-V9S1T0
Zakres temperatur (eksploatacja):
0 - 70 °C
Unit Width:
10 cm
Unit Depth:
14.5 cm
Unit Height:
2.5 cm
Name:
SSD PCIE G5 M.2 NVME 1TB/990EVOPLUS MZ-V9S1T0BW SAMSUNG
Napięcie pracy:
3.3 V
Szyfrowanie / bezpieczeństwo:
256-bit AES
MTBF (Średni okres międzyawaryjny):
1500000 h
Prędkość odczytu z nośnika:
7150 MB/s
Pojemność pamięci SSD:
1000 GB
Rozmiar kieszeni dysku SSD:
M.2
NVMe:
Tak
Szyfrowanie sprzętu:
Tak
Rozmiar dysku SSD M.2:
2280 (22 x 80 mm)
Seria SSD:
990 EVO Plus
Wstrząsy podczas pracy:
1500 G
Losowy odczyt (4KB):
850000 IOPS
Losowy zapis (4KB):
1350000 IOPS
Prędkość zapisu nośnika:
6300 MB/s
NVMe wersja:
2.0
Obsługa S.M.A.R.T.:
Tak
Pobór mocy (bezczynny):
0.06 W
Pobór mocy (odczyt):
4.3 W
Pobór mocy (zapis):
4.2 W
Wsparcie TRIM:
Tak
Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia):
Tak
Zużycie energii DevSlp (uśpienia urządzenia):
5 mW
Średni pobór mocy (odczyt):
4.3 W
Średni pobór mocy (zapis):
4.2 W
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
Zadaj pytanie

Sklep zamknięty

Sklep tymczasowo niedostępny